一、通俗二极管的检测

 

　　用MF47型万用表丈量，将红、黑表笔别离接在二极管的两头，读取读数，再将表笔对换丈量。按照两次丈量成果判断，凡是小功率锗二极管的正向电阻值为300-500，硅二极管约为1k或更大些。锗管反相电阻为几十千欧，硅管反向电阻在500k以上(大功率二极管的数值要小的多)。好的二极管正向电阻较低，反向电阻较大，正反向电阻差值越大越好。若是测得正、反向电阻很小均接近于零，申明二极管内部已短;若正、反向电阻很大或趋于无限大，则申明管子内部已断。在这两种环境下二极管就需报废。

 

　　在测试：测试二极管PN结正反向电阻，比力容易判断出二极管是击穿短仍是断。

 

　　二、三极管检测

 

　　将数字万用表拨到二极管档，用表笔测PN结，若是正领导通，则显示的数字即为PN结的正向压降。先确定集电极和发射极;用表笔测出两个PN结的正向压降，压降大的是发射极e，压降小的是集电极c。变频器维修在测试两个结时，红表笔接的是公共极，则被测三极管为NPN型，且红表笔所接为基极b;若是黑表笔接的是公共极，则被测三极管是PNP型，且此极为基极b。三极管损坏后PN结有击穿短和开两种环境。

 

　　在测试：在测试三极管，现实上是通过测试PN结的正、反向电阻，来达到判断三极管能否损坏。支电阻大于PN结正向电阻，一般时所测得正、反向电阻应有较着区别，不然PN结损坏了。支电阻小于PN结正向电阻时，应将支断开，不然就无法判断三极管的黑白。

 

　　三、三相整流桥模块检测

 

　　以SEMIKRON(西门子)整流桥模块为例，如附图所示。将数字万用表拨到二极管测试档，黑表笔接COM，红表笔接V，用红、黑两表笔先后测3、4、5相与2、1极之间的正反向二极管特征，来查抄判断整流桥能否无缺。所测的正反向特征相差越大越好;如正反向为零，申明所检测的一相已被击穿短;如正反向均为无限大，申明所检测的一相曾经断。整流桥模块只需有一相损坏，就应改换。

 

　　四、逆变器IGBT模块检测

 

　　将数字万用表拨到二极管测试档，测试IGBT模块C1.E1、C2.E2之间以及栅极G与E1、E2之间正反向二极管特征，来判断IGBT模块能否无缺。以eupec2***/1200V六相IGBT模块为例，(拜见附图)。将负载侧U、V、W相的导

 

　　线拆除，利用二极管测试档，红表笔接P(集电极C1)，黑表笔顺次測U、V、W(发射极E1)，万用表显示数值为大;将表笔反过来，黑表笔接P，红表笔測U、V、W，万用表显示数值为400摆布。再将红表笔接N(发射极E2)，黑表笔測U、V、W，万用表显示数值为400摆布;黑表笔接N，红表笔測U、V、W(集电极C2)，万用表显示数值为大。各相之间的正反向特征应不异，若呈现不同申明IGBT模块机能变差，应予改换。IGBT模块损坏时，只要击穿短环境呈现。

 

　　红、黑两表笔别离测栅极G与发射极E之间的正反向特征，万用表两次所测的数值都为大，这时可鉴定IGBT模块门极一般。若是无数值显示，则门极机能变差，此模块应改换。当正反向测试成果为零时，申明所检测的一相门极已被击穿短。门极损坏时电板门极的稳压管也将击穿损坏。